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[发明专利]半导体存储器装置-CN201110038959.0有效
发明人：浅野滋博;吉井谦一郎;福富和弘;菅野伸一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-02-16 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储器装置。根据一个实施例，一种半导体存储器装置根据日志结构方法进行以下写入：响应于来自主机的写入具有特定的逻辑块地址的数据的请求而将数据写入半导体存储器元件，以及为了压缩而将有效数据写入所述半导体存储器元件。所述半导体存储器装置根据预定的比率调整响应于来自所述主机的请求的写入的频率和用于压缩的写入的频率。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN202210645503.9在审
发明人：李东奂;金徐儇 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体存储器装置，其包括半导体基板，所述半导体基板包括彼此间隔开的第一电路组和第二电路组。存储器装置还包括与半导体基板交叠的存储器单元阵列。所述存储器装置还包括跨过所述存储器单元阵列的垂直导线，所述垂直导线连接到所述第一电路组和所述第二电路组。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN202010259237.7在审
发明人：李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：半导体存储器装置包括存储器单元阵列和连接至存储器单元阵列的位线。半导体存储器装置还包括与位线交叠并且与位线间隔开不同距离的第一上线和第二上线。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN201911141215.4在审
发明人：金在泽;洪暎玉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：半导体存储器装置。本技术提供了一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括与基板间隔开并设置在基板上的源极膜、贯穿源极膜的导电接触插塞、以及包括在导电接触插塞上交替层叠的虚设层间绝缘膜和牺牲绝缘膜的虚设层叠主体。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN202110695655.5在审
发明人：金炫哲;洪载昊;金容锡;金一权;徐亨源;柳成原;李炅奂 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：第一导线，在垂直于基底的顶表面的第一方向上堆叠；第二导线，在第一方向上延伸，并且与第一导线相交；以及存储器单元，分别设置在第一导线与第二导线之间的多个相交点处。存储器单元中的每个存储器单元包括平行于基底的顶表面的半导体图案、围绕半导体图案的沟道区的第一栅电极和第二栅电极以及位于半导体图案与第一栅电极和第二栅电极中的每个之间的电荷存储图案，半导体图案包括具有第一导电类型的源区
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN201110049304.3有效
发明人：吉井谦一郎;福富和弘;菅野伸一;浅野滋博 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储器装置。根据一个实施例，一种半导体存储器装置包括具有其中写入数据的可写存储区域的多个半导体存储器芯片。所述装置包括：确定单元，确定所述第一数据被写入的预定数目或更少的半导体存储器芯片；写控制器，将所述第一数据和冗余信息写入确定的半导体存储器芯片中的所述可写存储区域中，所述冗余信息是从所述第二数据计算出的且被用于校正所述第二数据中的错误；以及存储单元，在其中存储彼此相关联的识别信息和区域指定信息。所述识别信息使所述第二数据和所述冗余信息相关联，并且所述区域指定信息指定所述半导体存储器芯片中的包括在所述第二数据中的所述第一数据和所述冗余信息被写入的存储区域。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN201911238716.4在审
发明人：金在泽 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括介电层叠结构以及设置在介电层叠结构中的电容器电极。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN201110036760.4有效
发明人：浅野滋博;吉井谦一郎;福富和弘;菅野伸一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-02-12 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储器装置。根据一个实施例，一种半导体存储器装置包括数据被请求写入其中的半导体存储器芯片。所述数据具有一个或多个预定单位的第一数据的段。所述装置包括：写控制器，其将所述第一数据和冗余信息写入不同的半导体存储器芯片中，所述冗余信息是通过使用预定数目的所述第一数据的段而计算出的且被用于校正所述预定数目的所述第一数据的段中的错误；以及存储单元，其存储识别信息和区域指定信息以使所述存储识别信息和区域指定信息彼此相关联。所述识别信息使所述第一数据和所述冗余信息相关联，并且所述区域指定信息指定所述半导体存储器芯片中的彼此相关联的所述第一数据和所述冗余信息被写入的多个存储区域。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN202110819494.6在审
发明人：洪载昊;金炫哲;金容锡;金一权;徐亨源;柳成原;李炅奂 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：根据本发明构思的半导体存储器装置包括：半导体基底；共源极半导体层，掺杂有第一导电类型的杂质，位于半导体基底上；多个绝缘层和多个字线结构，交替堆叠在共源极半导体层上；存储器单元介电层，穿透所述多个绝缘层和所述多个字线结构，并且覆盖在竖直方向上延伸的沟道孔的内壁；以及存储器单元结构，填充沟道孔。存储器单元结构包括沟道层和漏极层，在沟道层上设置有存储器单元介电层，沟道层填充沟道孔的至少一部分，并且漏极层覆盖沟道层的上表面，掺杂有第二导电类型的杂质，并填充沟道孔的上部的一部分。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN201910231793.0有效
发明人：冈部翔 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储器装置，抑制读取操作时的峰值电流。本发明的半导体存储器装置包括存储器阵列；多个电荷泵电路；以及控制器，在存储器阵列中被选择页被读取时，控制启动电荷泵电路的时间，以使所述多个电荷泵电路不在相同时间被启动。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN202010288779.7在审
发明人：权兑辉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：存储器单元，其用于存储数据；页缓冲器，其通过位线连接到存储器单元，以将数据存储在存储器单元中或从存储器单元读取数据；以及高速缓存锁存器，其通过总线节点连接到页缓冲器当执行页缓冲器和高速缓存锁存器之间的比特数据传输操作时，总线节点在开始比特数据传输操作之前放电。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN201910726114.7在审
发明人：中冢圭祐;荒井史隆 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储器装置。实施例提供了可以提高其操作可靠性的半导体存储器装置。一种半导体存储器装置包括在Y方向上彼此相邻地布置的第一块和第二块。第一块和第二块中的每一者包括在X方向上延伸的导电层、位于导电层之间的存储器沟槽、跨其间插入有存储器沟槽的两个导电层设置的存储器柱、以及设置在存储器柱和导电层之间的晶体管。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN202110670813.1在审
发明人：金镇浩;朴泰成;成象铉;吴星来 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列设置在第一半导体层中，并且包括在与第一方向相交的第二方向上排列的多个单元部和至少两个通孔区域，其中，每一个通孔区域在第二方向上的宽度具有与所述多个单元部中的每一个在第二方向上的宽度的倍数相对应的尺寸
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN202011498309.X在审
发明人：劝兑晎;金燦镐;尹敬和;边大锡;尹治元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置。为了允许在半导体存储器装置中密集集成大量的堆叠字线，电荷泵被包括在半导体存储器装置中。电荷泵使用电容器。电容器相对于密集集成来实现。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN201911356689.0在审
发明人：李相宪;许炫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：提供一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，其设置在基板上；位线，其连接至存储器单元阵列；外围电路，其设置在存储器单元阵列和基板之间，外围电路包括晶体管；导线，其设置在存储器单元阵列和晶体管之间；下连接结构
半导体存储器装置

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